特征

• 考查实际上给电子设备安装半导体元件时，半导体元件所受到的抗静电破坏能力的静电试验器。
  半导体元件因受静电可能发生内部配线，绝缘膜的熔断，破坏等而导致产品特性裂化，误动作的现象。
  对于此静电破坏试验，只需利用1 台弊司小型ESS-600X 更换探头就可简单实行人体带电型，机器带电型的试验。还有，可用选件中的精密型支架可对超细密间距元件做半自动的试验。
  最适合用于进行LED,LCD, 光元件等电子部品的静电破坏耐性试验。
  精密型支架
   

  • 可做最高输出电压±8KV 试验（ESS-6008）
  • 可做出留有余量的试验
  • 可对各种间距的受测元件进行静电施加试验
  • 可搭配精密测台，以半自动（Y 轴）的脚位移动而正确的对待
  • 测物施加静电
  • 可做最低试验电压±10V 的试验（ESS-6002）
  • 对于低电压驱动元件的评价可从10V 开始以1V 的步长予施加
  • 可对应规格

   

  ■对应标准
  

  人体模型试验 (HBM)	机械模型试验 (MM)
  AEC-Q100-002-Rev.D Jul.2003	AEC-Q100-003-REV-E  Jul.2003
  ESDA ANSI/EOS/ESD-STM5.1-2001	ESDA ANSI/ESD STM5.2-1999
  IEC 61340-3-1Ed.1.0 2002	IEC 61340-3-2 Ed.1.0-2002
  IEC 60749-26 Ed.1.0 2003	IEC 60749-27 Ed.1.0 2003
  JEDEC JESD22-A114E Jan 2007	JEDEC JESD22-A115A Oct.1997
  JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001 Test Method304	JEITA EIAJ ED-4701/300 Aug.2001
  MIL-STD-883G Method 3015.7 Mar.1989